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NXP Semiconductors
PESDxS4UD series
Quadruple ESD protection diode arrays in a SOT457 package
220
C d
(pF)
180
140
006aaa700
80
C d
(pF)
60
40
006aaa701
(1)
(1)
100
60
(2)
20
0
(2)
(3)
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3S4UD
(2) PESD5V0S4UD
V R (V)
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
(1) PESD12VS4UD
(2) PESD15VS4UD
(3) PESD24VS4UD
V R (V)
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
I
10
I RM
I RM(25 ° C)
006aaa699
1
? V CL ? V BR ? V RWM
?
P-N
+
? I RM
? I R
V
10 ? 1
? 100
? 50
0
50
100
T j ( ° C)
150
? I PP
006aaa407
PESD3V3S4UD
PESD5V0S4UD
I R is less than 5 nA at 150 ° C
PESD12VS4UD
PESD15VS4UD
PESD24VS4UD
Fig 7.
Relative variation of reverse leakage current
as a function of junction temperature; typical
Fig 8.
V-I characteristics for a unidirectional ESD
protection diode
values
PESDXS4UD_SER_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 21 August 2009
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